1. Silikon esasly yşyklandyryjylaryň häzirki umumy tehnologiki ýagdaýyna syn

Silikon substratlardaky GaN materiallarynyň ösmegi iki esasy tehniki kynçylyk bilen ýüzbe-ýüz bolýar.Birinjiden, kremniniň substraty bilen GaN-iň arasynda 17% -e çenli gabat gelmeýän gabat gelmezlik, ýagtylygyň netijeliligine täsir edýän GaN materialynyň içinde ýerleşiş dykyzlygynyň has ýokary bolmagyna getirýär;Ikinjiden, kremniniň substraty bilen GaN-iň arasynda 54% -e çenli ýylylyk gabat gelmezligi bar, bu bolsa GaN filmleriniň ýokary temperaturaly ösüşden we otag temperaturasyna düşmeginden soň önümçiligiň hasyllylygyna täsir edip, ýarylmaga ýykgyn edýär.Şonuň üçin kremniniň substraty we GaN inçe filminiň arasyndaky bufer gatlagynyň ösmegi gaty möhümdir.Bufer gatlagy GaN-iň içindäki ýerleşiş dykyzlygyny azaltmakda we GaN-iň ýarylmagyny azaltmakda möhüm rol oýnaýar.Köplenç bufer gatlagynyň tehniki derejesi, kremniý esasly ünsi we kynlygy bolan LED-iň içerki kwant netijeliligini we öndürijiligini kesgitleýär.Yşyk-diodly indikator.Häzirki wagtda, pudak we akademiýanyň gözleglerine we ösüşine ep-esli maýa goýumlary bilen bu tehnologiki kynçylyk esasan ýeňildi.

Silikon substraty görünýän ýagtylygy güýçli siňdirýär, şonuň üçin GaN filmi başga bir substrata geçirilmeli.Geçirilmezden ozal GaN filmi bilen beýleki substratyň arasynda ýokary şöhlelendiriji reflektor goýulýar, GaN tarapyndan çykýan ýagtylygyň substrat tarapyndan siňmeginiň öňüni almak üçin.Substrat geçirilenden soň LED gurluşy, inçe film çipi hökmünde bu pudakda bellidir.Inçe film çipleri, häzirki diffuziýa, ýylylyk geçirijiligi we nokat birmeňzeşligi boýunça adaty resmi gurluş çiplerinden artykmaçlyklara eýe.

2. Häzirki umumy ulanyş ýagdaýyna syn we kremniniň substrat yşyklandyryjylarynyň bazara syn

Silikon esasly yşyk-diodly indikatorlar dik gurluşa, birmeňzeş tok paýlanyşyna we çalt ýaýramagyna eýe bolup, olary ýokary güýçli programmalar üçin amatly edýär.Bir taraply ýagtylyk çykarylyşy, gowy ugrukdyryjylygy we ýagtylygyň hili sebäpli awtoulag yşyklandyryşy, gözleg çyralary, magdan çyralary, jübi telefony çyralary we ýokary ýagtylyk talaplary bilen ýokary derejeli yşyklandyryş meýdanlary ýaly ykjam yşyklandyryş üçin has amatlydyr. .

“Jingneng Optoelectronics” kremniy substrat LED tehnologiýasy we prosesi kämillik ýaşyna ýetdi.Silikon substrat gök yşyk LED çipleri pudagynda öňdebaryjy artykmaçlyklary saklamagy dowam etdirmek esasynda önümlerimiz, has ýokary öndürijilikli we goşmaça gymmaty bolan ak çyra LED çipleri ýaly ugrukdyryjy ýagtylygy we ýokary hilli çykaryşy talap edýän yşyklandyryş meýdanlaryna çenli dowam edýär. , LED jübi telefonynyň çyralary, LED awtoulag faralary, LED köçe çyralary, LED yşyk çyrasy we ş.m. kem-kemden bölünen pudakda kremniy substrat LED çipleriniň amatly ornuny kem-kemden kesgitleýär.

3. Silikon substrat LED-iň ösüş tendensiýasy

Lightagtylygyň netijeliligini ýokarlandyrmak, çykdajylary azaltmak ýa-da tygşytlylygy hemişelik mowzukLED senagaty.Silikon substrat inçe film çipleri ulanylmazdan ozal gaplanmalydyr we gaplamagyň bahasy LED amaly bahasynyň ep-esli bölegini düzýär.Adaty gaplamadan geçiň we komponentleri wafli bilen gönüden-göni gaplaň.Başga sözler bilen aýdylanda, wafli çip masştably gaplama (CSP) gaplamanyň ujundan geçip, çipiň ujundan programma ujuna gönüden-göni girip, LED-iň amaly bahasyny hasam peseldip biler.CSP, kremniýdäki GaN esasly yşyklandyryjylar üçin geljegiň biridir.“Toshiba” we “Samsung” ýaly halkara kompaniýalar CSP üçin kremniy esasly yşyklandyryjylary ulanýandyklaryny habar berdiler we ýakyn wagtda önümleriň bazara çykaryljakdygyna ynanýarlar.

Soňky ýyllarda LED pudagynda ýene bir gyzgyn ýer Micro LED, mikrometr derejeli LED diýlip hem atlandyrylýar.Mikro yşyk-diodly indikatorlaryň ululygy birnäçe mikrometrden onlarça mikrometre çenli üýtgeýär, epitaksiýa arkaly ösdürilip ýetişdirilen GaN inçe filmleriniň galyňlygy bilen deň derejede.Mikrometr şkalasynda, GaN materiallary goldaw zerurlygy bolmazdan gönüden-göni dik gurluşly GaNLED görnüşinde ýasalyp bilner.Microagny, Micro yşyklandyryjylary taýýarlamak işinde GaN-yň ösmegi üçin substrat aýrylmaly.Silikon esasly yşyk-diodly indikatorlaryň tebigy artykmaçlygy, kremniniň substratyny aýyrmak prosesinde GaN materialyna hiç hili täsir etmezden, himiki çygly eriş arkaly aýryp bolýar, hasyllylygy we ygtybarlylygy üpjün edýär.Şu nukdaýnazardan seredeniňde, kremniniň substraty LED tehnologiýasy Micro LED-lerde öz ornuny alar.